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MOT3510J相关型号
  • MBR60100N

    反向压降100V,正向压降0.85V,反向漏电流50uA,电流60A

  • MOT1045D

    反向压降45V,正向压降0.58V,反向漏电流50uA,电流10A

  • SS8050/Y1

    集电极-基极反向击穿电压40V,集电极-发射极反向击穿电压25V,集电极电流IC1500mA,

  • S9014/J6

    集电极-基极反向击穿电压50V,集电极-发射极反向击穿电压45V, 集电极电流IC150mA,

图片仅供参考,请参考产品描述

  • MOT3510J

  • 制造商:MOT(仁懋)
  • 批号:23+
  • 描述:
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  • 库存数量:225

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详细参数

  • 商品目录场效应管(MOSFET)
  • 类型1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 连续漏极电流(Id)25A
  • 功率(Pd)25W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5mΩ@10V,10A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
  • 栅极电荷(Qg@Vgs)32.3nC@Vgs=10V
  • 输入电容(Ciss@Vds)1.53nF@Vds=15V
  • 反向传输电容(Crss@Vds)198pF@Vds=15V
  • 工作温度-55℃~+150℃

其它信息

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