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MOT4111T相关型号

  • MOT5N65D

    电压VDSS600V,导通电阻Rds2.2欧，电荷量Qg25nC，电流ID5A

  • MOT2N65D

    电压VDSS650V,导通电阻Rds5欧，电荷量Qg14nC，电流ID2A

  • MBR20100A

    反向压降100V,正向压降0.79V,反向漏电流20uA,电流20A

  • MBR2045F

    反向压降45V,正向压降0.6V,反向漏电流50uA,电流20A

  • MOT10N65F

    电压VDSS650V,导通电阻Rds0.86欧，电荷量Qg44nC，电流ID10A

  • MOT4511AF

    电压VDSS450V,导通电阻Rds0.5欧，电荷量Qg55nC，电流ID11A

  • MBR10200F

    反向压降200V,正向压降0.88V,反向漏电流20uA,电流10A

  • MOT30100D

MOT ( 仁懋 )热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • MOT4111T

  • 制造商：MOT(仁懋)
  • 批号：23+
  • 描述：
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：522

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详细参数

  • 商品目录场效应管(MOSFET)
  • 类型1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss)40V
  • 连续漏极电流(Id)300A
  • 功率(Pd)500W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.05mΩ@10V,30A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
  • 栅极电荷(Qg@Vgs)231nC@10V
  • 输入电容(Ciss@Vds)13.725nF@20V
  • 反向传输电容(Crss@Vds)321F@20V
  • 工作温度-55℃~+150℃

其它信息

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